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  • 金籟科技-5G 基站電感應用

    來源: | 發布日期:2023-08-10

    5G-1

      隨著工業和科技的快速發展,現有的4G基站,每個陣列最多使用四個發射器和四個接收器(4x4 MIMO)。與之相比,預計采用大規模MIMO陣列的5G基站,每個陣列可使用多達64個發送器和64個接收器。5G網絡能比4G網絡的數據傳輸速率高100倍,并且網絡延遲低至1ms。

           對比傳統分立式 DC / DC IC和外部電感的解決方案,5G基站的電路板組件密度要求更高,尺寸要求更小,且需要實現更高的效率和更低的EMI。 

           基站的輸入電壓通常為48V,該電壓被DC / DC轉換器降壓至24V或12V,然后進一步降壓到多個電源軌,范圍從3.3V至1V以下,這些電源軌為基帶處理器中的ASIC電路供電。 

           同時,為了減少開關電流引起的傳導和輻射EMI,還需要精心對元件布局和放置濾波器組件。DC / DC轉換器通常會通過電流回路中的磁場產生傳導EMI,而電流回路主要形成在輸出功率MOSFET開關節點與地之間以及輸入電容與地之間。MOSFET開關節點與電感連接處也會產生輻射電場EMI,由于需要不斷在輸入電平與地電平切換,因此dV / dt很高,并且電感本身產生的電磁場也會產生輻射。  

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          金籟科技軟飽和磁芯的封閉式磁路電感、優化的電流環路和集成輸入濾波,能大大簡化最終設計,確保滿足輻射和傳導EMI要求。

    2023年,金籟科技- 5G 基站電感應用還將加大進度投入新產品研發,緊跟智能科技化的步伐,歡迎各位新老客戶量大來詢!

    【本文標簽】 金籟科技

    【責任編輯】

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